工作动态

近日，中国科学院院士、九三学社陕西省委原主委、陕西省侨联主席郝跃带领团队在蓝宝石基增强型e-GaN电力电子芯片量产技术研发方面取得了突破性进展。课题组成员李祥东团队在国际上首次证明了8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆量产的可行性，并攻克了多项关键技术难题，展示了替代中高压硅IGBT和SiC MOSFET的巨大潜力。

该团队的研究成果以“p-GaN Gate HEMTs on 6-Inch Sapphire by CMOS-Compatible Process: A Promising Game Changer for Power Electronics”为题，发表在高水平行业期刊IEEE Electron Device Letters上，并入选封面highlight论文。研究中，团队所在西电广州研究院与广东致能科技公司联合攻克了≥1200V超薄GaN缓冲层外延、p-GaN栅HEMTs设计与制造、可靠性加固、高硬度材料封测等整套量产技术。成功开发出的6英寸蓝宝石基增强型e-GaN HEMTs晶圆，具有超过2V的阈值电压和高达3000V的耐压能力，展示了其在中高压电力电子领域的广泛应用前景。

另一项研究成果“Report of GaN HEMTs on 8-in Sapphire”则发表在国际顶级期刊IEEE Transactions on Electron Devices上，并获得了国际著名半导体行业杂志Semiconductor Today的专题报道。该研究不仅证明了8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆量产的可行性，还打破了传统GaN技术难以同时兼顾大尺寸、高耐压、低成本的国际难题，有望推动≥1200V中高压氮化镓电力电子技术的变革。

团队成员受邀在2024年第26届集成电路制造年会暨供应链创新发展大会（CICD）和2024武汉九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会上作大会报告和特邀报告，相关研究成果得到了与会同行的高度关注。未来，随着这些技术的进一步落地和应用，有望在广州研究院等机构的推动下，为我国电力电子产业的发展注入新的活力。